Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng là 500V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 50A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 300W
Mosfet IRFP260 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-247
Mosfet IRFP260 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRFP260 có công suất là 300W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.